A low on-resistance buried current path SOI p-channel LDMOS compatible with n-channel LDMOS
A low on-resistance buried current path SOI p-channel LDMOS compatible with n-channel LDMOS
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与n沟道LDMOS兼容的低导通电阻掩埋电流路径SOI p沟道LDMOS
DOI：
10.1088/1674-1056/22/6/067306
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发表时间：
2013-06
影响因子：
1.7
通讯作者：
Zhang Bo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fan Yuan-Hang;Luo Yin-Chun;Hu Xia-Rong;Zhang Bo
提出了一种与高压n沟道横向双扩散金属氧化物半导体（nLDMOS）兼容的新型低比导通电阻（罗恩，sp）SOI p沟道横向双扩散金属氧化物半导体（pLDMOS）。pLDMOS内置在N型SOI层中
A novel low specific on-resistance (Ron,sp) silicon-on-insulator (SOI) p-channel lateral double-diffused metal—oxide semiconductor (pLDMOS) compatible with high voltage (HV) n-channel LDMOS (nLDMOS) is proposed. The pLDMOS is built in the N-type SOI layer
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作者：
M.-J. Zhou;A. D. Bruycker;A. Calster;J. Witters;G. Schols
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M.-J. Zhou;A. D. Bruycker;A. Calster;J. Witters;G. Schols
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作者：
S. Schwantes;T. Florian;T. Stephan;M. Graf;V. Dudek
通讯作者：
S. Schwantes;T. Florian;T. Stephan;M. Graf;V. Dudek
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作者：
S. Colak;B. Singer;E. Stupp
通讯作者：
S. Colak;B. Singer;E. Stupp
影响因子：
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A. Podgaynaya;R. Rudolf;D. Pogany;E. Gornik;M. Stecher
通讯作者：
A. Podgaynaya;R. Rudolf;D. Pogany;E. Gornik;M. Stecher
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作者：
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通讯作者：
Han, SY