Impact of thin SrTiO_3 seed layer to achieve low-temperature crystallization below 300℃ and ferroelectricity of lead zirconate titanate thin film
Impact of thin SrTiO_3 seed layer to achieve low-temperature crystallization below 300℃ and ferroelectricity of lead zirconate titanate thin film
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薄SrTiO_3籽晶层对锆钛酸铅薄膜300℃以下低温结晶及铁电性的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Shinozaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.W.Moon;S.Tazawa;N.Wakiya;N.Mizutani;K.Shinozaki
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使用 PbTiO3 缓冲层控制 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜的取向
DOI：
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发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Shimizu;M. Sugiyama;Hironori Fujisawa Hironori Fujisawa;Tadashi Shiosaki Tadashi Shiosaki
通讯作者：
Tadashi Shiosaki Tadashi Shiosaki
通过金属有机化学气相沉积在 Ir/MgO 衬底上生长低漏电外延 PZT 薄膜
影响因子：
0.7
作者：
T. Oikawa;K. Takahashi;J. Ishida;Y. Ichikawa;T. Ochiai;K. Saito;A. Sawabe;H. Funakubo
通讯作者：
H. Funakubo
低温金属有机化学气相沉积 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜的晶体和铁电性能
影响因子：
1.5
作者：
M. Shimizu;M. Okaniwa;H. Fujisawa;H. Niu
通讯作者：
H. Niu
脉冲金属有机化学气相沉积低温制备四方晶系和菱方晶系Pb(Zr,Ti)O3薄膜的晶体结构和电学性能比较
影响因子：
3.2
作者：
H. Funakubo;Kouji Tokita;T. Oikawa;M. Aratani;K. Saito
通讯作者：
K. Saito
金属有机化学气相沉积法在低沉积温度下高重复性制备 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜
影响因子：
1.5
作者：
G. Asano;T. Oikawa;H. Funakubo
通讯作者：
H. Funakubo