Impact of Process Fluctuations on Reconfigurable Silicon Nanowire Transistor
Impact of Process Fluctuations on Reconfigurable Silicon Nanowire Transistor
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工艺波动对可重构硅纳米线晶体管的影响
DOI：
10.1109/ted.2020.3045689
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发表时间：
2021-02
影响因子：
3.1
通讯作者：
Jun Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xianglong Li;Xiaoqiao Yang;Zhe Zhang;Teng Wang;Yabin Sun;Ziyu Liu;Xiaojin Li;Yanling Shi;Jun Xu
本文首次研究了本征工艺波动对可重构场效应晶体管（RFET）的影响。分析了线边缘粗糙度（LER）、栅边缘粗糙度（格尔）、
In this article, the impact of intrinsic process fluctuations on reconfigurable field-effect transistor (RFET) is investigated for the first time. Three kinds of process fluctuation sources, including line edge roughness (LER), gate edge roughness (GER),
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影响因子：
4.9
作者：
Simon, Maik;Liang, B.;Weber, W. M.
通讯作者：
Weber, W. M.
DOI：
10.1109/icsict.2018.8565797
发表时间：
2018-10
期刊：
2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)
影响因子：
--
作者：
Yue Zhuo;Xianglong Li;Yabin Sun;Xiaojin Li;Yanling Shi;Shoumian Chen;ShaoJian Hu;Ao Guo
通讯作者：
Yue Zhuo;Xianglong Li;Yabin Sun;Xiaojin Li;Yanling Shi;Shoumian Chen;ShaoJian Hu;Ao Guo
DOI：
10.1109/iedm.2015.7409827
发表时间：
2015-12
期刊：
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
Yiming Li;Han-Tung Chang;C. Lai;Pei-Jung Chao;Chieh-Yang Chen
通讯作者：
Yiming Li;Han-Tung Chang;C. Lai;Pei-Jung Chao;Chieh-Yang Chen
影响因子：
3.1
作者：
Runsheng Wang;Xiaobo Jiang;Tao Yu;Jiewen Fan;Jiang Chen;D. Pan;Ru Huang
通讯作者：
Runsheng Wang;Xiaobo Jiang;Tao Yu;Jiewen Fan;Jiang Chen;D. Pan;Ru Huang
DOI：
10.1109/drc.2017.7999426
发表时间：
2017-06
期刊：
2017 75th Annual Device Research Conference (DRC)
影响因子：
--
作者：
J. Trommer;A. Heinzig;S. Slesazeck;U. Mühle;M. Löffler;D. Walter;C. Mayr;T. Mikolajick;W. Weber
通讯作者：
J. Trommer;A. Heinzig;S. Slesazeck;U. Mühle;M. Löffler;D. Walter;C. Mayr;T. Mikolajick;W. Weber