Improvement of resistive switching memory achieved by using arc-shaped bottom electrode
Improvement of resistive switching memory achieved by using arc-shaped bottom electrode
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利用弧形底电极实现阻变存储器的改进
DOI：
10.7567/apex.8.014101
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发表时间：
2014
影响因子：
2.3
通讯作者：
Liu Yichun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Zhongqiang;Zhao Kaidong;Xu Haiyang;Zhang Lei;Ma Jiangang;Liu Yichun
采用聚苯乙烯（PS）纳米球模板制备了一种基于弧形底电极（BE）的阻变Pt/InGaZnO/Al存储器件。对于没有弧形BE的器件，容易形成网状导电丝（CF），导致不完全断裂和较大的电阻波动。相比之下，电场方向将指向电弧的中心，而不是垂直于平面电极。因此，CF更倾向于在弧形BE周围形成简单的径向结构，并且简化的CF对于实现更窄的阻力分布和RS改善是有效的。
We demonstrated a resistive switching Pt/InGaZnO/Al memory device based on an arc-shaped bottom electrode (BE), which was fabricated by using a polystyrene (PS) nanosphere template. For the device without an arc-shaped BE, netlike conducting filaments (CFs) are easily formed, resulting in an incomplete rupture and a large resistance fluctuation. In comparison, the electric field direction would point to the center of the arc, instead of being vertical to the planar electrode. Therefore, the CFs prefer to form a simple, radial structure around the arc-shaped BE, and the simplified CFs are effective for achieving a narrower resistance distribution and RS improvement.
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