Fermi-level depinning and contact resistance reduction in metal/n-Ge junctions by insertion of W-encapsulating Si cluster films
Fermi-level depinning and contact resistance reduction in metal/n-Ge junctions by insertion of W-encapsulating Si cluster films
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通过插入 W 封装硅簇薄膜实现金属/n-Ge 结的费米能级脱钉和接触电阻降低
DOI：
10.1063/1.4864321
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
Toshihiko Kayanama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naoya Okada;Noriyuki Uchida;Toshihiko Kayanama
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影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
影响因子：
4
作者：
D. Lee;S. Raghunathan;Robert J. Wilson;D. Nikonov;K. Saraswat;Shan X. Wang
通讯作者：
D. Lee;S. Raghunathan;Robert J. Wilson;D. Nikonov;K. Saraswat;Shan X. Wang
影响因子：
4.9
作者：
Roy, Arunanshu M.;Lin, Jason;Saraswat, Krishna C.
通讯作者：
Saraswat, Krishna C.
采用等离子后氧化制造的 HfO2/Al2O3/GeOx/Ge 栅极堆栈的具有 0.7 nm 超薄 EOT 的高迁移率 Ge CMOS 器件
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Kurihara;R. Matsumoto;and T. Uyematsu;R. Zhang
通讯作者：
R. Zhang
影响因子：
2.3
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira