High-Speed Ring Oscillator Using Skewed Delay Scheme Integrated by Metal-Oxide TFTs
High-Speed Ring Oscillator Using Skewed Delay Scheme Integrated by Metal-Oxide TFTs
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采用金属氧化物 TFT 集成的偏斜延迟方案的高速环形振荡器
DOI：
10.1109/ted.2020.3029539
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发表时间：
2020-12
影响因子：
3.1
通讯作者：
Peng Jun-Biao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu Wen-Xing;Chen Jun-Wei;Zhou Lei;Xu Miao;Wang Lei;Wu Wei-Jing;Liu Yu-Rong;Peng Jun-Biao
本文介绍了一种采用 ${n}$ 型氧化铟锌 (IZO) 薄膜晶体管 (TFT) 技术的高速环形振荡器 (RO) 的新颖设计。拟议的 RO 结合了
This article presents a novel design of high-speed ring oscillator (RO) in ${n}$ -type-only indium-zinc-oxide (IZO) thin-film transistor (TFT) technology. The proposed ROs combine the
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DOI：
10.1109/iedm.2008.4796619
发表时间：
2008-12
期刊：
2008 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
H. Yin;Sunil Kim;C. J. Kim;J. Park;I. Song;Sangwook Kim;Sung-Hoon Lee;Young-soo Park
通讯作者：
H. Yin;Sunil Kim;C. J. Kim;J. Park;I. Song;Sangwook Kim;Sung-Hoon Lee;Young-soo Park
影响因子：
4.9
作者：
Jie J. Sun;D. Mourey;D. Zhao;S. Park;S. Nelson;D. Levy;D. Freeman;P. Cowdery-Corvan;L. Tutt;T. Jackson
通讯作者：
Jie J. Sun;D. Mourey;D. Zhao;S. Park;S. Nelson;D. Levy;D. Freeman;P. Cowdery-Corvan;L. Tutt;T. Jackson
影响因子：
5.4
作者：
Papadopoulos, Nikolas P.;De Roose, Florian;Myny, Kris
通讯作者：
Myny, Kris
DOI：
10.1109/ifetc.2018.8583926
发表时间：
2018-08
期刊：
2018 International Flexible Electronics Technology Conference (IFETC)
影响因子：
--
作者：
Nishtha Wadhwa;J. Martins;P. Bahubalindruni;Sujay Deb;P. Barquinha
通讯作者：
Nishtha Wadhwa;J. Martins;P. Bahubalindruni;Sujay Deb;P. Barquinha
DOI：
10.1109/isscc.1983.1156428
发表时间：
1983
期刊：
1983 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
A. Bell;G. Borriello
通讯作者：
A. Bell;G. Borriello