Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy
Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy
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固源分子束外延在Si(110)上生长SiGe过程中的应变弛豫过程和晶体形貌演化
DOI：
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发表时间：
2020
影响因子：
4.1
通讯作者：
Keisuke Arimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shingo Saito;Yuichi Sano;Takane Yamada;Kosuke O. Hara;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Keisuke Arimoto
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GexSi1−x 合金在 Si(110) 表面上的生长
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4
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通讯作者：
D. Bahnck
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Journal of Crystal Growth 311
影响因子：
--
作者：
Keisuke Arimoto;Masato Watanabe;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Noritaka Usami;Kazuo Nakajima
通讯作者：
Kazuo Nakajima
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DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
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--
作者：
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通讯作者：
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4
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通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Solid-State Electronics 53
影响因子：
--
作者：
Keisuke Arimoto;Masato Watanabe;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Noritaka Usami;Kazuo Nakajima
通讯作者：
Kazuo Nakajima