Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates
Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates
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在精确和邻位 (110) Si 衬底上生长的阶梯梯度 SiGe 层的晶体形貌
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kazuo Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Arimoto;Masato Watanabe;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Noritaka Usami;Kazuo Nakajima
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GexSi1−x 合金在 Si(110) 表面上的生长
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DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
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影响因子：
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作者：
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通讯作者：
et al.
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
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影响因子：
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作者：
K.Arimoto;J.Yamanaka;K.Nakagawa;K.Sawano;Y.Shiraki;S.Koh;N.Usami
通讯作者：
N.Usami