Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates
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Si(110) 衬底上生长的成分均匀且分级的 SiGe 薄膜的应变弛豫机制
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kazuo Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Arimoto;Masato Watanabe;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Noritaka Usami;Kazuo Nakajima
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GexSi1−x 合金在 Si(110) 表面上的生长
影响因子：
4
作者：
R. Hull;J. Bean;L. Peticolas;D. Bahnck
通讯作者：
D. Bahnck
在精确和邻位 (110) Si 衬底上生长的阶梯梯度 SiGe 层的晶体形貌
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
Journal of Crystal Growth 311
影响因子：
--
作者：
Keisuke Arimoto;Masato Watanabe;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Noritaka Usami;Kazuo Nakajima
通讯作者：
Kazuo Nakajima
通过气源 MBE 在 Si(110) 衬底上生长的 SiGe/渐变缓冲结构的晶格结构的生长温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
J. Cryst. Growth 301/302
影响因子：
--
作者：
K.Arimoto;J.Yamanaka;K.Nakagawa;K.Sawano;Y.Shiraki;N.Usami;et al.
通讯作者：
et al.
影响因子：
3.2
作者：
BARIBEAU, JM;JACKMAN, TE;DENHOFF, MW
通讯作者：
DENHOFF, MW
GexSi1−x/Si(110) 异质结构中应变弛豫的定量分析以及 GexSi1−x 合金中堆垛层错能的准确测定
影响因子：
4
作者：
R. Hull;J. Bean;L. Peticolas;D. Bahnck;B. Weir;L. Feldman
通讯作者：
L. Feldman