Simulation Study of a p-LDMOS With Double Electron Paths to Enhance Current Capability
Simulation Study of a p-LDMOS With Double Electron Paths to Enhance Current Capability
复制标题
具有双电子路径的 p-LDMOS 增强电流能力的仿真研究
DOI：
10.1109/led.2018.2870582
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发表时间：
2018-09
影响因子：
4.9
通讯作者：
JunJi Cheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bo Yi;Moufu Kong;JunJi Cheng
本文提出了一种具有双电子路径的p沟道横向双扩散MOSFET（p-LDMOS），以提高其电流能力。所提出的p-LDMOS具有两个由自动生成的电压信号（<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">${V}_{\text {Gn}}$</tex-math></inline-formula>）控制的n沟道。电压信号<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">${V}_{Gn}}$</tex-math></inline-formula>在空穴电流的ON和OFF状态期间产生，该空穴电流流过在P基极区域中实现的集成电阻器（<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">$R_{p}}$</tex-math></inline-formula>）。因此，p-LDMOS的电流能力可以通过引入的电子电流而显著增强。模拟结果表明，所提出的p-LDMOS的电流能力可以媲美的n型三倍RESURF技术，没有任何电导调制效应。在额定负载电流密度为<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">25 μ A/m时，</tex-math></inline-formula>与三重RESURF p-LDMOS和n-LDMOS相比，p-LDMOS的功耗分别降低了78.6%和15.6%。
In this letter, a p-channel lateral double-diffused MOSFET (p-LDMOS) with double electron paths used to enhance the current capability is proposed. The proposed p-LDMOS has two n-channels that are controlled by an auto-generated voltage signal (<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${V}_{\text {Gn}}$ </tex-math></inline-formula>). The voltage signal <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${V}_{\text {Gn}}$ </tex-math></inline-formula> is generated during the ON and OFF states of the hole current that flows across an integrated resistor (<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$R_{\text {p}}$ </tex-math></inline-formula>) implemented in the P-base region. Thus, the current capability of the p-LDMOS can be significantly enhanced by the introduced electron current. The simulation results show that the current capability of the proposed p-LDMOS can be comparable to that of the n-type triple RESURF technique without any conductivity modulation effect. The power loss of the proposed p-LDMOS is reduced by approximately 78.6% and 15.6% compared with the triple RESURF p-LDMOS and n-LDMOS, respectively, at a rated load current density of <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$25~\mu \text{A}/\mu \text{m}$ </tex-math></inline-formula>.
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10.1109/ispsd.2011.5890785
发表时间：
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影响因子：
--
作者：
T. Miyoshi;T. Tominari;M. Hayashi;A. Ito;M. Yoshinaga;S. Ueno;T. Oshima;S. Wada
通讯作者：
T. Miyoshi;T. Tominari;M. Hayashi;A. Ito;M. Yoshinaga;S. Ueno;T. Oshima;S. Wada
DOI：
--
发表时间：
2010-06
期刊：
2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)
影响因子：
--
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通讯作者：
M. Yamaji;Keisei Abe;Takeshi Maiguma;H. Takahashi;H. Sumida
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