Fabrication of wafer-scale nanoporous AlGaN-based deep ultraviolet distributed Bragg reflectors via one-step selective wet etching.
Fabrication of wafer-scale nanoporous AlGaN-based deep ultraviolet distributed Bragg reflectors via one-step selective wet etching.
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通过单步选择性湿蚀刻的晶片尺度纳米孔基于Algan的深层紫外线反射器的制造。
DOI：
10.1038/s41598-022-25712-2
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发表时间：
2022-12-27
影响因子：
4.6
通讯作者：
Dai J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao Y;Shan M;Zheng Z;Jian P;Liu W;Tan S;Chen C;Wu F;Dai J
在本文中，我们报道了基于晶圆级纳米多孔 (NP) AlGaN 的深紫外 (DUV) 分布式布拉格反射器 (DBR)，其在 280 nm 下具有 95% 的反射率，使用通过金属有机化学蒸气在 AlN/蓝宝石模板上生长的外延周期性堆叠 n-Al0.62Ga0.38N/u-Al0.62Ga0.38N 结构 沉积（MOCVD）。 DBR 是通过在加热的 KOH 水溶液中进行简单的一步选择性湿法蚀刻来制造的。为了研究KOH电解质的温度对纳米孔形成的影响，计算了刻蚀过程中消耗的电荷量，并通过扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对DBR的表面和横截面形貌进行了表征。随着电解质温度的升高，纳米孔变大，而电荷量减少，这表明蚀刻过程是电化学和化学蚀刻的结合。三角形纳米孔和六边形凹坑进一步证实了化学蚀刻过程。我们的工作展示了一种简单的湿法蚀刻来制造高反射 DBR，这对于具有微腔结构的基于 AlGaN 的 DUV 器件非常有用。
In this paper, we reported on wafer-scale nanoporous (NP) AlGaN-based deep ultraviolet (DUV) distributed Bragg reflectors (DBRs) with 95% reflectivity at 280 nm, using epitaxial periodically stacked n-Al0.62Ga0.38N/u-Al0.62Ga0.38N structures grown on AlN/sapphire templates via metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD). The DBRs were fabricated by a simple one-step selective wet etching in heated KOH aqueous solution. To study the influence of the temperature of KOH electrolyte on the nanopores formation, the amount of charge consumed during etching process was counted, and the surface and cross-sectional morphology of DBRs were characterized by Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). As the electrolyte temperature increased, the nanopores became larger while the amount of charge reduced, which revealed that the etching process was a combination of electrochemical and chemical etching. The triangular nanopores and hexagonal pits further confirmed the chemical etching processes. Our work demonstrated a simple wet etching to fabricate high reflective DBRs, which would be useful for AlGaN based DUV devices with microcavity structures.
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影响因子：
4
作者：
Detchprohm, Theeradetch;Liu, Yuh-Shiuan;Dupuis, Russell D.
通讯作者：
Dupuis, Russell D.
DOI：
10.3390/ma11091487
发表时间：
2018-08-21
期刊：
Materials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Griffin P;Zhu T;Oliver R
通讯作者：
Oliver R
影响因子：
3.2
作者：
Franke, A.;Hoffmann, M. P.;Sitar, Z.
通讯作者：
Sitar, Z.
影响因子：
6
作者：
Yang, Xiaokun;Xiao, Hongdi;Ma, Jin
通讯作者：
Ma, Jin
影响因子：
3.9
作者：
通讯作者：
--