Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quan-tum well laser structures
Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quan-tum well laser structures
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BeMgZnSe 基量子阱激光器结构的光泵浦紫外激光
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Niiyama;T.Murata;M.Watanabe
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无位错 GaAsyP1−x−yNx/GaP0.98N0.02 量子阱结构，与 Si 衬底晶格匹配
影响因子：
4
作者：
Y. Fujimoto;H. Yonezu;A. Utsumi;K. Momose;Y. Furukawa
通讯作者：
Y. Furukawa
基于铍硫族化物的单量子阱激光器结构在室温下以 444 nm 低阈值光泵浦激光，具有高特征温度
影响因子：
4
作者：
J. Chang;M. Cho;K. Godo;H. Makino;T. Yao;M. Shen;T. Goto
通讯作者：
T. Goto
界面化学对 Si(100) 表面 ZnSe 生长的影响。
DOI：
10.1103/physrevb.45.13400
发表时间：
1992
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
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作者：
Bringans;Biegelsen;Swartz;Ponce;Tramontana
通讯作者：
Tramontana
分子束外延生长 Zn1−xBexSe 合金折射率色散和弹性模量的测定
影响因子：
4
作者：
F. Peiris;U. Bindley;J. Furdyna;Hyunjung Kim;A. Ramdas;M. Grimsditch
通讯作者：
M. Grimsditch
BexZn1−xSe 在 Si(0 0 1) 和 GaAs(0 0 1) 衬底上的异质外延生长
影响因子：
1.8
作者：
J. Faurie;V. Bousquet;P. Brunet;É. Tournié
通讯作者：
É. Tournié