Yield-driven design of tunnelling SRAM cells
Yield-driven design of tunnelling SRAM cells
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隧道 SRAM 单元的产量驱动设计
DOI：
10.1049/el.2013.1719
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发表时间：
2013
影响因子：
1.1
通讯作者：
Zuo D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zuo D
作为静态随机存取存储器 (SRAM) 的一种实现，隧道 SRAM (TSRAM) 使用谐振（带间）隧道二极管 (R(I)TD) 的负微分电阻，与传统 CMOS SRAM 相比，可能会提供改进的待机功耗和集成密度。 TSRAM 尚未实现具有有用的位容量，主要是因为纳米级 R(I)TD 所需的再现性水平要求很高且难以实现。在这份报告的工作中，从最大化产量的角度来设计 TSRAM 单元，并针对基于 RITD 的单元提出了具体结果。随着半导体多层生长控制的进步，表明实现可接受的产量现在已经指日可待。
As an implementation of the static random access memory (SRAM), the tunnelling SRAM (TSRAM) uses the negative differential resistance of resonant (interband) tunnelling diodes (R(I)TDs) and potentially offers improved standby power dissipation and integration density compared with the conventional CMOS SRAM. TSRAM has not yet been realised with a useful bit capacity mainly because the level of reproducibility required of the nanoscale R(I)TDs has been demanding and difficult to achieve. In this reported work, the design of TSRAM cells is approached from the perspective of maximising their yield and specific results are presented for an RITD‐based cell. With advances in the control of semiconductor multilayer growth, it is shown that achieving acceptable yields is now within sight.
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Zuo D
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