Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
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使用电子回旋共振等离子体溅射 SiO2 进行 InGaAs 表面氮化对 InGaAs MOS 电容器界面性能的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hoshii;et.al.
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