Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth
Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth
复制标题
硅基 CVD 外延生长中杂质掺杂的原子控制工艺
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B.Tillack
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Murota、M.Sakuraba;B.Tillack
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使用闪热化学气相沉积在硅上进行原子层外延
影响因子：
1.8
作者：
M. Sakuraba;J. Murota;N. Mikoshiba;S. Ono
通讯作者：
S. Ono
SiGe 外延过程中掺杂的原子控制
影响因子：
2.1
作者：
B. Tillack
通讯作者：
B. Tillack
SI1-XGEX 中重硼掺杂的应变补偿
影响因子：
4
作者：
B. Tillack;P. Zaumseil;G. Morgenstern;D. Krüger;G. Ritter
通讯作者：
G. Ritter
使用 SiH4–GeH4–CH3SiH3–PH3–H2 气体系统通过低压化学气相沉积进行 Si1-x-yGexCy 外延生长中的磷掺杂
影响因子：
1.5
作者：
Doohwan Lee;T. Noda;Hyun;M. Sakuraba;T. Matsuura;J. Murota
通讯作者：
J. Murota
使用 B 掺杂 SiGe CVD 在高 Ge 分数 Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) 异质结构上制造具有超浅源极/漏极的 0.12-μm pMOSFET
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Surf.Sci. Vol.224
影响因子：
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作者：
D.Lee;S.Takehiro;M.Sakuraba;J.Murota;T.Tsuchiya
通讯作者：
T.Tsuchiya