Influence of residual oxygen impurity in quaternary InAlGaN multiple-quantum-well active layers on emission efficiency of ultraviolet light-emitting diodes on GaN substrates
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四元InAlGaN多量子阱有源层中残留氧杂质对GaN衬底紫外发光二极管发射效率的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Ando
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Kyono;H.Hirayama;K.Akita;T.Nakamura;M.Adachi;K.Ando
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