The Comparison of the Growth Models of Silicon Nitride Ultra-Thin Films Fabricated Using Atmospheric Pressure Plasma and Radio Frequency Plasma
The Comparison of the Growth Models of Silicon Nitride Ultra-Thin Films Fabricated Using Atmospheric Pressure Plasma and Radio Frequency Plasma
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常压等离子体与射频等离子体制备氮化硅超薄膜生长模型的比较
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Uehara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Nakae;R.Hayakawa;T.Yoshimura;A.Ashida;N.Fujimura;T.Uehara
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采用高密度低能量离子轰击在低温下生长先进栅极电介质的氮化硅薄膜
DOI：
10.1116/1.582016
发表时间：
1999
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
K. Sekine;Yuji Saito;M. Hirayama;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
实时紫外光电子能谱研究 Si(100) 热氧化过程的生长动力学
影响因子：
6.7
作者：
Y. Enta;Y. Takegawa;M. Suemitsu;N. Miyamoto
通讯作者：
N. Miyamoto
影响因子：
3.9
作者：
Takeshi Watanabe;Akihiro Ichikawa;M. Sakuraba;T. Matsuura;J. Murota
通讯作者：
J. Murota
实时光电发射测量观察O2氧化Si(100)表面氧化层的生长模式和特性
DOI：
10.1143/jjap.37.261
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
Youichi Takegawa;Y. Enta;M. Suemitsu;N. Miyamoto;H. Kato
通讯作者：
H. Kato
高密度低能离子轰击直接氮化低温形成氮化硅薄膜
影响因子：
1.5
作者：
Yuji Saito;K. Sekine;M. Hirayama;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi