Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance
Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance
复制标题
具有超低比导通电阻的可集成沟槽 MOSFET
DOI：
10.1049/el.2015.1493
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发表时间：
2015-08
影响因子：
1.1
通讯作者：
Luo Xiaorong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yin Chao;Wei Jie;Zhou Kun;Luo Xiaorong
提出了一种新型的具有沟槽源极和沟槽栅极的可集成金属氧化物半导体场效应晶体管（TS-TG MOSFET）。TS和TG引起强烈的辅助耗尽效应，从而显著增加N漂移
A novel integratable metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a trench source (TS) and a trench gate (TG) (TS–TG MOSFET) is proposed. The TS and TG cause a strong assistant depletion effect and thus dramatically increase the N-drift
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影响因子：
4.9
作者：
Guo, Yufeng;Yao, Jiafei;Zhang, Changchun
通讯作者：
Zhang, Changchun
DOI：
10.1109/ispsd.2002.1016230
发表时间：
2002-08
期刊：
Proceedings of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics
影响因子：
--
作者：
A. Sugi;K. Tabuchi;M. Sawada;S. Kajiwara;K. Matsubara;N. Fujishima;C. Salama
通讯作者：
A. Sugi;K. Tabuchi;M. Sawada;S. Kajiwara;K. Matsubara;N. Fujishima;C. Salama
影响因子：
3.1
作者：
Lin Zhi;Huang Haimeng;Chen Xingbi
通讯作者：
Chen Xingbi
DOI：
10.1109/iedm.1997.650399
发表时间：
1997-12
期刊：
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest
影响因子：
--
作者：
N. Fujishima;C. Salama
通讯作者：
N. Fujishima;C. Salama
影响因子：
3.1
作者：
N. Fujishima;A. Sugi;S. Kajiwara;K. Matsubara;Y. Nagayasu;C. Salama
通讯作者：
N. Fujishima;A. Sugi;S. Kajiwara;K. Matsubara;Y. Nagayasu;C. Salama