Analysis of drain lag and power compression in GaN MESFET
Analysis of drain lag and power compression in GaN MESFET
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GaN MESFET 漏极滞后和功率压缩分析
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yonemoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Horio;K.Yonemoto
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GaN HFET 的低频色散特性
影响因子：
1.1
作者：
W. Kruppa;S. Binari;K. Doverspike
通讯作者：
K. Doverspike
DOI：
10.1007/978-3-642-58562-3
发表时间：
1999
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Morkoç
通讯作者：
H. Morkoç
采用深能级补偿的半绝缘衬底的 GaAs MESFET 漏极电流瞬态的二维模拟
影响因子：
3.1
作者：
K. Horio;Y. Fuseya
通讯作者：
Y. Fuseya
HJFET 中衬底引起的漏极滞后现象的大信号等效电路模型
影响因子：
3.1
作者：
K. Kunihiro;Y. Ohno
通讯作者：
Y. Ohno
GaAs MESFET 栅极滞后现象的表面态效应分析
影响因子：
3.1
作者：
S. Lo;Chien
通讯作者：
Chien