Low temperature deposition of extremely thin barrier for metallization technology
Low temperature deposition of extremely thin barrier for metallization technology
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低温沉积极薄阻挡层金属化技术
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. B. Takeyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
孫 錚;王 新磊;森元 諄;田尻 武義;内田 和男;M. B. Takeyama
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影响因子：
1.4
作者：
S. Rossnagel;A. Sherman;F. Turner
通讯作者：
S. Rossnagel;A. Sherman;F. Turner
用于铜金属化的 TaN、NbN 和 MoN 薄膜的原子层沉积
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
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影响因子：
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作者：
P. Alén
通讯作者：
P. Alén
影响因子：
3.9
作者：
Kim, Soo-Hyun;Yeom, Seung-Jin;Sohn, Hyunchul
通讯作者：
Sohn, Hyunchul
1,1-二甲基肼在过渡金属氮化物薄膜原子层沉积中的应用
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
Marika Juppo;M. Ritala;M. Leskelä
通讯作者：
M. Leskelä
W 在 WF6 和 SiH4 的 TiN 上成核
DOI：
10.1116/1.579280
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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作者：
S. L. Lantz;A. Bell;W. Ford;D. Danielson
通讯作者：
D. Danielson