Microscopic Analysis of Polycrystalline Materials at High Temperature
Microscopic Analysis of Polycrystalline Materials at High Temperature
复制标题
高温下多晶材料的显微分析
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yoshiyuki KAWANO
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shoji IMATANI;Ryoichi KAWAKAMI;Yoshiyuki KAWANO
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
H. Philipp;E. Taft
通讯作者：
E. Taft
氧原子掺杂半绝缘多晶硅（SIPOS）的晶体学研究
DOI：
10.1063/1.325356
发表时间：
1978
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Hamasaki;T. Adachi;S. Wakayama;M. Kikuchi
通讯作者：
M. Kikuchi
硅上超薄氧化物的结构
DOI：
10.1063/1.91954
发表时间：
1980
期刊：
影响因子：
--
作者：
O. Krivanek;J. Mazur
通讯作者：
J. Mazur
半绝缘多晶硅 (SIPOS) 层的 AES 和 XPS 研究
DOI：
10.1149/1.2128793
发表时间：
1979
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. H. Thomas;A. Goodman
通讯作者：
A. Goodman
采用局部氧化氧掺杂多晶硅薄膜的先进 MOS-IC 工艺技术
影响因子：
5.4
作者：
T. Yamaguchi;K. Seaward;J. Sachitano;S. Sato;D. Ritchie
通讯作者：
D. Ritchie