Enhanced Room-Temperature 1.6μm Electroluminescence from Si-Based Double Heterostructures Light-Emitting Diodes Using Iron Disilicide
Enhanced Room-Temperature 1.6μm Electroluminescence from Si-Based Double Heterostructures Light-Emitting Diodes Using Iron Disilicide
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使用二硅化铁的硅基双异质结构发光二极管增强室温 1.6μm 电致发光
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Suemasu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Suzuno;T.Koizumi;H.Kawakami;T.Suemasu
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Si(001) 上 p+-Si/β-FeSi2/n+-Si 二极管的室温 1.6 µm 电致发光，无需高温退火
影响因子：
2.3
作者：
T. Koizumi;S. Murase;M. Suzuno;T. Suemasu
通讯作者：
T. Suemasu
使用 Si0.7Ge0.3 层在晶格匹配应变 Si(001) 表面上进行高度 [100] 取向 β-FeSi2 薄膜的分子束外延
影响因子：
1.5
作者：
Tatsuma Saito;T. Suemasu;Kenji Yamaguchi;K. Mizushima;F. Hasegawa
通讯作者：
F. Hasegawa
β-FeSi2 在无应变和应变 Si(100) 表面上的异质外延
影响因子：
4
作者：
D. Peale;R. Haight;J. Ott
通讯作者：
J. Ott
磁控溅射沉积制备的高度取向 β-FeSi2 薄膜的时间分辨 1.5 µm 波段光致发光
影响因子：
1.5
作者：
Shucheng Chu;Toru Hirohada;M. Kuwabara;H. Kan;T. Hiruma
通讯作者：
T. Hiruma
影响因子：
4
作者：
H. Udono;I. Kikuma;T. Okuno;Y. Masumoto;H. Tajima
通讯作者：
H. Udono;I. Kikuma;T. Okuno;Y. Masumoto;H. Tajima