Stochastic Effects in Chemically Amplified Resists Used for Extreme Ultraviolet Lithography
Stochastic Effects in Chemically Amplified Resists Used for Extreme Ultraviolet Lithography
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用于极紫外光刻的化学放大光刻胶的随机效应
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kozawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
堀岡正崇;荒川 雅;南川賢人;西川享佑;河野知生;寺嵜 亨;T. Kozawa
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用于极紫外光刻的化学放大抗蚀剂中吸收系数和产酸效率对产酸剂浓度的依赖性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
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作者：
R. Hirose;T. Kozawa;S. Tagawa;T. Kai;T. Shimokawa
通讯作者：
T. Shimokawa
用于后光学光刻的化学放大抗蚀剂中酸分布不均匀的潜在原因
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
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作者：
H. Yamamoto;T. Kozawa;A. Nakano;K. Okamoto;S. Tagawa;T. Ando;M. Sato;H. Komano
通讯作者：
H. Komano
化学放大极紫外光刻胶模型系统中的产酸效率
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
J. Vac. Sci. Technol. B
影响因子：
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作者：
T. Kozawa;S. Tagawa;H. Oizumi;I. Nishiyama
通讯作者：
I. Nishiyama
16nm半间距EUV光刻胶开发
DOI：
10.1117/12.916555
发表时间：
2012
期刊：
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影响因子：
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作者：
Ken Maruyama;Hiroki Nakagawa;Shalini Sharma;Y. Hishiro;M. Shimizu;Tooru Kimura
通讯作者：
Tooru Kimura
NXE3100 全场扫描仪的 EUV 光刻胶工艺性能研究
影响因子：
0.8
作者：
A. Goethals;P. Foubert;Koh Hosokawa;F. V. Roey;A. Niroomand;D. V. D. Heuvel;I. Pollentier
通讯作者：
I. Pollentier