Much improved interfaces of InGaAs/AlAsSb quantum well structures grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy
Much improved interfaces of InGaAs/AlAsSb quantum well structures grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy
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通过分子束外延在 (411)A InP 衬底上生长的 InGaAs/AlAsSb 量子阱结构的界面得到极大改善
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Imura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mitsumasa Iwamoto;Fei Liu;Zhong-Can Ou-Yang;M.Imura
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