Effects of oxygen partial pressure on resistive switching characteristics of ZnO thin films by DC reactive magnetron sputtering
Effects of oxygen partial pressure on resistive switching characteristics of ZnO thin films by DC reactive magnetron sputtering
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氧分压对直流反应磁控溅射ZnO薄膜阻变特性的影响
DOI：
10.1016/j.ssc.2010.07.032
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发表时间：
2010-10
影响因子：
2.1
通讯作者：
Ke, Weiqing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ji, Zhenguo;Mao, Qinan;Ke, Weiqing
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影响因子：
3.5
作者：
Sun Huajun;Hou Lisong;Wu Yiqun;Tang Xiao-dong
通讯作者：
Sun Huajun;Hou Lisong;Wu Yiqun;Tang Xiao-dong
影响因子：
1.9
作者：
N. Xu;L. Liu;X. Sun;C. Chen;Y. Wang;D. Han;X. Liu;R. Han;J. Kang;B. Yu
通讯作者：
N. Xu;L. Liu;X. Sun;C. Chen;Y. Wang;D. Han;X. Liu;R. Han;J. Kang;B. Yu
影响因子：
2.1
作者：
Hong, RJ;Qi, HJ;Shao, JA
通讯作者：
Shao, JA
影响因子：
38.3
作者：
Lee, Se-Ho;Jung, Yeonwoong;Agarwal, Ritesh
通讯作者：
Agarwal, Ritesh
影响因子：
2.1
作者：
Jae Bin Lee;S. Kwak;H. Kim
通讯作者：
Jae Bin Lee;S. Kwak;H. Kim