Optimization of Bosch etch process for vertically stacked Si nanowires
Optimization of Bosch etch process for vertically stacked Si nanowires
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垂直堆叠硅纳米线博世蚀刻工艺的优化
DOI：
10.1007/s10854-011-0534-3
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
汪涛
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
汪涛
提出了一种自顶向下的制备多根垂直堆叠单晶硅纳米线的工艺实现方法。蚀刻和钝化沉积过程，最终的结构轮廓的关键，详细研究了通过改变处理时间和施加的功率，从而获得优化的工艺参数，形成稳定的和可重复的硅纳米线堆叠结构。
A top-down process implementation method to fabricate multiple vertically stacked single-crystal silicon nanowires (SiNWs) has been presented in the paper. The etching and passivation deposition processes, critical to the final structural profile, are investigated in detail by varying processing time and applied power, so as to obtain the optimized processing parameters for the formation of stable and reproducible SiNW stacked structure.
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DOI：
10.1142/s021945542250047x
发表时间：
2022-02
影响因子：
3.6
作者：
E. Aydil;J. Zasadzinski;A. T. Ivanova;D. K. Schwartz;Tinglu Yang
通讯作者：
E. Aydil;J. Zasadzinski;A. T. Ivanova;D. K. Schwartz;Tinglu Yang
影响因子：
2.3
作者：
R. Zhou;Haixia Zhang;Y. Hao;Yangyuan Wang
通讯作者：
R. Zhou;Haixia Zhang;Y. Hao;Yangyuan Wang
影响因子：
64.8
作者：
Wu, Y;Xiang, J;Lieber, CM
通讯作者：
Lieber, CM
影响因子：
1.4
作者：
LIU, HI;BIEGELSEN, DK;PEASE, RFW
通讯作者：
PEASE, RFW
影响因子：
64.8
作者：
Gudiksen, MS;Lauhon, LJ;Lieber, CM
通讯作者：
Lieber, CM