An area-efficient LDMOS-SCR ESD protection device for the I/O of power IC application
An area-efficient LDMOS-SCR ESD protection device for the I/O of power IC application
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一种用于电源 IC 应用 I/O 的高效面积 LDMOS-SCR ESD 保护器件
DOI：
10.1016/j.microrel.2013.12.004
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发表时间：
2014-06
影响因子：
1.6
通讯作者：
Wang, Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han, Yan;Liu, Weicheng;Li, Hongwei;Wang, Jun
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DOI：
10.1109/relphy.2002.996629
发表时间：
2002-08
期刊：
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320)
影响因子：
--
作者：
Jian-Hsing Lee;J. Shih;C.S. Tang;Kun Liu;Y.H. Wu;R. Shiue;T. Ong;Y.K. Peng;J. Yue
通讯作者：
Jian-Hsing Lee;J. Shih;C.S. Tang;Kun Liu;Y.H. Wu;R. Shiue;T. Ong;Y.K. Peng;J. Yue
影响因子：
3.1
作者：
A. Chatterjee;M. Shrivastava;H. Gossner;S. Pendharkar;F. Brewer;C. Duvvury
通讯作者：
A. Chatterjee;M. Shrivastava;H. Gossner;S. Pendharkar;F. Brewer;C. Duvvury
影响因子：
3.2
作者：
A. Chatterjee;peixiong zhao;S. Pendharkar;K. Banerjee
通讯作者：
A. Chatterjee;peixiong zhao;S. Pendharkar;K. Banerjee
影响因子：
3.1
作者：
M. Shrivastava;H. Gossner;M. Baghini;V. Rao
通讯作者：
M. Shrivastava;H. Gossner;M. Baghini;V. Rao
DOI：
10.1109/iedm.1997.650403
发表时间：
1997-12
期刊：
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest
影响因子：
--
作者：
C. Duvvury;Fernando D. Carvajal;C. Jones;David D. Briggs
通讯作者：
C. Duvvury;Fernando D. Carvajal;C. Jones;David D. Briggs