Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
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通过金属有机气相外延在准晶格匹配 InGaAs 衬底上生长的 InGaAsN 薄膜的结构研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Onabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Kongjaeng;S. Sanorpim;T. Yamamoto;W. Ono;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
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采用 TBA 和 DMHy 金属有机气相外延法在 GaAs 上生长高氮含量 InGaAsN 薄膜
DOI：
10.1002/pssa.200565240
发表时间：
2006
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
S. Sanorpim;F. Nakajima;W. Ono;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe
影响因子：
4
作者：
Niki, S;Fons, PJ;Tu, CW
通讯作者：
Tu, CW
气源分子束外延生长的 GaInNAs/GaAs 量子阱中 GaInNAs 的量子点行为
影响因子：
1.4
作者：
H. Xin;K. Kavanagh;Ziqiang Zhu;C. Tu
通讯作者：
C. Tu
InGaAsN 合金薄膜的微观结构、缺陷和局域发光
DOI：
10.1002/pssc.200303399
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
F. Nakajima;S. Sanorpim;Takahisa Yamamoto;E. Takuma;R. Katayama;H. Ichinose;K. Onabe;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki
寿命超过 1000 小时的 1.3 µm GaInNAs 激光二极管
影响因子：
1.5
作者：
M. Kondow;T. Kitatani;K. Nakahara;Toshiaki Tanaka
通讯作者：
Toshiaki Tanaka