A Built-in Test Circuit for Injected Charge Tests of Open Defects in CMOS ICs
A Built-in Test Circuit for Injected Charge Tests of Open Defects in CMOS ICs
复制标题
一种用于 CMOS IC 开路缺陷注入电荷测试的内置测试电路
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hiroyuki Yotsuyanagi and Masaki Hashizume
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kouhei Ohtani;Daisuke Suga;Hiroyuki Yotsuyanagi and Masaki Hashizume
登录
查看更多内容
面向缺陷的测试
DOI：
10.1007/978-1-4615-2365-9_2
发表时间：
1995
期刊：
Southwest Symposium on Mixed-Signal Design, 2003.
影响因子：
--
作者：
F. Beenker;R. Bennetts;A. P. Thijssen
通讯作者：
A. P. Thijssen
通过开关电源电流出现时间检测 CMOS 开路故障
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Proc. of the second IEEE International Workshop on Electronic Design, Test, and Applications
影响因子：
--
作者：
Y.Higami;S.Kajihara;S.Kobayeshi;Y.Takamatsu;M.Hashizume
通讯作者：
M.Hashizume
延迟和 IDDT 测试在检测纳米 CMOS 加法器电路电阻开路缺陷方面的有效性
DOI：
10.1109/idt.2011.6123101
发表时间：
2011
期刊：
2011 IEEE 6th International Design and Test Workshop (IDT)
影响因子：
--
作者：
L. Hamieh;N. Mehdi;Ghazalah Omeirat;A. Chehab;A. Kayssi
通讯作者：
A. Kayssi
面向缺陷的测试
DOI：
10.1007/0-387-29409-0_1
发表时间：
2006
期刊：
2011 IEEE 6th International Design and Test Workshop (IDT)
影响因子：
--
作者：
R. Aitken
通讯作者：
R. Aitken
基于翻转电压跟随器的用于iDD测试的高速动态电流传感器
DOI：
10.1109/ssmsd.2003.1190428
发表时间：
2003
期刊：
Southwest Symposium on Mixed-Signal Design, 2003.
影响因子：
--
作者：
G. Ducoudray;R. González;J. Ramírez
通讯作者：
J. Ramírez