Analysis of Bi Distribution in Epitaxial GaAsBi by Aberration-Corrected HAADF-STEM.
Analysis of Bi Distribution in Epitaxial GaAsBi by Aberration-Corrected HAADF-STEM.
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DOI：
10.1186/s11671-018-2530-5
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发表时间：
2018-04-25
影响因子：
--
通讯作者：
Molina SI
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Baladés N;Sales DL;Herrera M;Tan CH;Liu Y;Richards RD;Molina SI
采用像差校正的高角度环形暗场技术研究了衬底温度接近340 °C时分子束外延生长的GaAs/GaAs 1 − xBix/GaAs异质结中Bi的含量。在低放大倍数的高角度环形暗场扫描透射电子显微镜图像的分析，证实了EDX分析，揭示了平面无缺陷层和非均匀的Bi分布在界面和内的GaAsBi层。在高放大倍数下，qHAADF分析证实了在低Bi通量下GaAsBi/GaAs界面处的不均匀分布和Bi偏析以及在具有较高Bi含量的区域中的扭曲哑铃形状。在较高的Bi通量下，Bi聚集的尺寸增加，导致大致等轴的富Bi颗粒沿沿着锌晶{111}刻面并且均匀地分散在基体和界面周围。FFT分析检查了一些簇中的两相共存：菱面体纯Bi（rh-Bi）被锌镓砷1-xBix矩阵包围。团簇可能影响了局域晶格弛豫，导致部分弛豫的GaAsBi/GaAs系统，与XRD分析结果吻合良好。
The Bi content in GaAs/GaAs1 − xBix/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy at a substrate temperature close to 340 °C is investigated by aberration-corrected high-angle annular dark-field techniques. The analysis at low magnification of high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy images, corroborated by EDX analysis, revealed planar defect-free layers and a non-homogeneous Bi distribution at the interfaces and within the GaAsBi layer. At high magnification, the qHAADF analysis confirmed the inhomogeneous distribution and Bi segregation at the GaAsBi/GaAs interface at low Bi flux and distorted dumbbell shape in areas with higher Bi content. At higher Bi flux, the size of the Bi gathering increases leading to roughly equiaxial Bi-rich particles faceted along zinc blende {111} and uniformly dispersed around the matrix and interfaces. FFT analysis checks the coexistence of two phases in some clusters: a rhombohedral pure Bi (rh-Bi) one surrounded by a zinc blende GaAs1 − xBix matrix. Clusters may be affecting to the local lattice relaxation and leading to a partially relaxed GaAsBi/GaAs system, in good agreement with XRD analysis.
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DOI：
10.1093/jmicro/dfq078
发表时间：
2011-02-01
期刊：
JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY
影响因子：
--
作者：
Molina, Sergio I.;Guerrero, Maria P.;Pennycook, Stephen J.
通讯作者：
Pennycook, Stephen J.
影响因子：
8.3
作者：
Beyer, Andreas;Knaub, Nikolai;Volz, Kerstin
通讯作者：
Volz, Kerstin
影响因子：
3.7
作者：
KUNZER, M;JOST, W;THOMAS, RN
通讯作者：
THOMAS, RN
影响因子：
4
作者：
Sales, D. L.;Guerrero, E.;Molina, S. I.
通讯作者：
Molina, S. I.
影响因子：
1.8
作者：
Richards, Robert D.;Bastiman, Faebian;David, John P. R.
通讯作者：
David, John P. R.