Synthesis of large-area, few-layer graphene on iron foil by chemical vapor deposition
Synthesis of large-area, few-layer graphene on iron foil by chemical vapor deposition
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化学气相沉积法在铁箔上合成大面积、少层石墨烯
DOI：
10.1007/s12274-011-0171-4
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发表时间：
2011-09
期刊：
影响因子：
9.9
通讯作者：
Hu, Wenping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xue, Yunzhou;Yu, Gui;Wu, Bin;Guo, Yunlong;Huang, Liping;Jiang, Lang;Chen, Jianyi;Geng, Dechao;Liu, Yunqi;Hu, Wenping
我们展示了一种简单且可控的方法，通过使用甲烷和氢气的混合物的优化化学气相沉积（CVD）方法在铁基底上合成大面积、少层石墨烯。基于对 Fe-C 相图的分析，设计了在 Fe 表面成功合成石墨烯的合适程序。研究发现，适当的温度和冷却过程对于合成高度结晶的少层石墨烯非常重要。使用所得的几层石墨烯制造了基于石墨烯的场效应晶体管 (FET) 器件，并显示出良好的质量，提取迁移率为 300–1150 cm2/(V·s)。
We demonstrate a simple and controllable way to synthesize large-area, few-layer graphene on iron substrates by an optimized chemical vapor deposition (CVD) method using a mixture of methane and hydrogen. Based on an analysis of the Fe-C phase diagram, a suitable procedure for the successful synthesis of graphene on Fe surfaces was designed. An appropriate temperature and cooling process were found to be very important in the synthesis of highly crystalline few-layer graphene. Graphene-based field-effect transistor (FET) devices were fabricated using the resulting few-layer graphene, and showed good quality with extracted mobilities of 300–1150 cm2/(V·s).
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