Periodic learning-based region selection for energy-efficient MLC STT-RAM cache
Periodic learning-based region selection for energy-efficient MLC STT-RAM cache
复制标题
基于定期学习的节能 MLC STT-RAM 缓存区域选择
DOI：
10.1007/s11227-019-02846-1
复制
发表时间：
2019-04
影响因子：
3.3
通讯作者：
Chao Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fanfan Shen;Yanxiang He;Jun Zhang;Chao Xu
新兴的多层单元（MLC）自旋传递扭矩RAM （STT-RAM）正成为取代SRAM作为片上最后一级缓存的最有希望的候选之一。与单级单元（SLC） STT-RAM设计相比，MLC缓存在性能上优于SLC缓存
The emerging multi-level cell (MLC) spin-transfer torque RAM (STT-RAM) is becoming one of the most promising candidates to replace SRAM as on-chip last-level caches. Compared with single-level cell (SLC) STT-RAM design, MLC cache outperforms SLC cache in
登录
查看更多内容
DOI：
10.1007/s11227-017-2180-x
发表时间：
2017-12
期刊：
The Journal of Supercomputing
影响因子：
--
作者：
Adnan Nasri;M. Fathy;A. Broumandnia
通讯作者：
Adnan Nasri;M. Fathy;A. Broumandnia
DOI：
10.1109/iccad.2013.6691153
发表时间：
2013-11
期刊：
2013 IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design (ICCAD)
影响因子：
--
作者：
Xiuyuan Bi;Mengjie Mao;Danghui Wang;Hai Helen Li
通讯作者：
Xiuyuan Bi;Mengjie Mao;Danghui Wang;Hai Helen Li
DOI：
10.1109/micro.2007.30
发表时间：
2007-12
期刊：
40th Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture (MICRO 2007)
影响因子：
--
作者：
N. Muralimanohar;R. Balasubramonian;N. Jouppi
通讯作者：
N. Muralimanohar;R. Balasubramonian;N. Jouppi
DOI：
10.1145/2228360.2228521
发表时间：
2012-06
期刊：
DAC Design Automation Conference 2012
影响因子：
--
作者：
Lei Jiang;Bo Zhao;Youtao Zhang;Jun Yang
通讯作者：
Lei Jiang;Bo Zhao;Youtao Zhang;Jun Yang
DOI：
10.1109/islped.2011.5993610
发表时间：
2011-08
期刊：
IEEE/ACM International Symposium on Low Power Electronics and Design
影响因子：
--
作者：
Yiran Chen;W. Wong;Hai Helen Li;Cheng-Kok Koh
通讯作者：
Yiran Chen;W. Wong;Hai Helen Li;Cheng-Kok Koh