InGaAsN as absorber in APDs for 1.3 micron wavelength applications
InGaAsN as absorber in APDs for 1.3 micron wavelength applications
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InGaAsN 作为 APD 中的吸收剂，适用于 1.3 微米波长应用
DOI：
10.1109/iciprm.2010.5516060
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ng J
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ng J
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DOI：
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期刊：
影响因子：
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作者：
B. K. Ng;J. David;R. C. Tozer;M. Hopkinson;G. Hill;G. Rees
通讯作者：
G. Rees