Electrical Properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)- and (1120)-oriented 6H-SiC
Electrical Properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1100)- and (1120)-oriented 6H-SiC
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(1100) 和 (1120) 取向 6H-SiC 上再生注入诱导非晶层的电性能
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Satoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nakamura;H.Tanabe;T.Hitomi;M.Satoh
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铝和硼扩散到 (1-100) 面 SiC 衬底中
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.557
发表时间：
2002
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
S. Soloviev;Ying Gao;Y. Khlebnikov;I. Khlebnikov;T. Sudarshan
通讯作者：
T. Sudarshan
磷离子热注入 4H-SiC
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.861
发表时间：
2000
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
S. Imai;Setsuko Kobayashi;T. Shinohe;K. Fukuda;Yasunori Tanaka;J. Senzaki;H. Tanoue;N. Kobayashi;H. Okushi
通讯作者：
H. Okushi
(1-100) 取向 4H- 和 6H- SiC 中注入层的表征
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.905
发表时间：
2000
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
M. Satoh;Y. Nakaike;K. Uchimura;K. Kuriyama
通讯作者：
K. Kuriyama
离子注入硅中 n 型掺杂剂的退火特性
影响因子：
4
作者：
B. Crowder;F. Morehead
通讯作者：
F. Morehead
磷注入 4H–SiC (112̄0) 具有显着的晶格恢复和低方块电阻
影响因子：
4
作者：
Y. Negoro;N. Miyamoto;T. Kimoto;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami