Corona assisted gallium oxide nanowire growth on silicon carbide
Corona assisted gallium oxide nanowire growth on silicon carbide
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电晕辅助碳化硅上氧化镓纳米线生长
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.12.033
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发表时间：
2019
影响因子：
1.8
通讯作者：
Jacobs
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Reiprich;Schlag;Biswas;Breiling;Schaaf;Stauden;Pezoldt;Jacobs
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常压下Ga2O3纳米线的制备
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Korbutowicz;A. Stafiniak;J. Serafińczuk
通讯作者：
J. Serafińczuk
硅基片上 3C-SiC 的低温化学气相沉积
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Förster;V. Cimalla;O. Ambacher;J. Pezoldt
通讯作者：
J. Pezoldt
金属有机化学气相沉积法生长的Ga2O3的电学、介电和光学特性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Paskaleva;D. Spassov;P. Terziyska
通讯作者：
P. Terziyska
影响因子：
3.3
作者：
Chun, HJ;Choi, YS;Yang, H
通讯作者：
Yang, H
DOI：
10.1016/j.mseb.2004.04.002
发表时间：
2004-08-25
期刊：
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
影响因子：
--
作者：
Kim, NH;Kim, HW;Lee, C
通讯作者：
Lee, C