Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by inserting single spike barriers
Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by inserting single spike barriers
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通过插入单尖峰势垒提高AlGaN基深紫外发光二极管的性能
DOI：
10.1016/j.spmi.2016.10.070
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发表时间：
2016-12
影响因子：
3.1
通讯作者：
Shen Bo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guo Weiwei;Xu Fujun;Sun Yuanhao;Lu Lin;Qin Zhixin;Yu Tongjun;Wang Xinqiang;Shen Bo
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DOI：
10.1117/12.2003779
发表时间：
2013-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Yu-Rui Lin;B. Liou;Jih-Yuan Chang;Y. Kuo
通讯作者：
Yu-Rui Lin;B. Liou;Jih-Yuan Chang;Y. Kuo
影响因子：
2.3
作者：
Pernot, Cyril;Kim, Myunghee;Amano, Hiroshi
通讯作者：
Amano, Hiroshi
影响因子：
3.1
作者：
Yang, Guofeng;Chang, Jianjun;Zheng, Youdou
通讯作者：
Zheng, Youdou
DOI：
10.1002/9783527610723
发表时间：
2007-01
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Piprek
通讯作者：
J. Piprek
影响因子：
1.5
作者：
Yu-Hsuan Lu;Yi-Keng Fu;Shyh-Jer Huang;Y. Su;R. Xuan;M. Pilkuhn
通讯作者：
Yu-Hsuan Lu;Yi-Keng Fu;Shyh-Jer Huang;Y. Su;R. Xuan;M. Pilkuhn