Non-quasi-static approach with surface-potential-based MOSFET model HiSIM for RF circuit simulation
Non-quasi-static approach with surface-potential-based MOSFET model HiSIM for RF circuit simulation
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使用基于表面电势的 MOSFET 模型 HiSIM 进行射频电路仿真的非准静态方法
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ezaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
上向井正裕;山田恭央;栖原敏明;Kentaro Totsu;戸津 健太郎;T. Ezaki
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用于 RF 电路仿真的 GHz 频率下的载波传输动态建模
DOI：
10.1007/978-3-7091-0624-2_60
发表时间：
2004
期刊：
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影响因子：
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作者：
D. Navarro;N. Nakayama;K. Machida;Y. Takeda;S. Chiba;H. Ueno;H. Mattausch;M. Miura;T. Ohguro;T. Iizuka;M. Taguchi;S. Miyamoto
通讯作者：
S. Miyamoto
RF 开关时传统 MOSFET 非线性表征的有效性
影响因子：
3
作者：
D. Navarro;Y. Takeda;M. Miura;H. Mattausch;T. Ohguro;T. Iizuka;M. Taguchi;S. Kumashiro;S. Miyamoto
通讯作者：
S. Miyamoto
亚 10 纳米平面体 CMOS 器件的传输特性
DOI：
10.1109/iedm.2004.1419178
发表时间：
2004
期刊：
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004.
影响因子：
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作者：
H. Wakabayashi;T. Ezaki;M. Hane;S. Yamagami;N. Ikarashi;K. Takeuchi;T. Yamamoto;T. Mogami;T. Ikezawa;T. Sakamoto;H. Kawaura
通讯作者：
H. Kawaura
使用超薄硅通道 MOSFET 实现极致缩放
DOI：
10.1109/iedm.2002.1175829
发表时间：
2002
期刊：
Digest. International Electron Devices Meeting,
影响因子：
--
作者：
Bruce B. Doris;M. Ieong;T. Kanarsky;Ying Zhang;R. Roy;O. Dokumaci;Z. Ren;F. Jamin;L. Shi;W. Natzle;Hsiang;J. Mezzapelle;A. Mocuta;S. Womack;Michael A. Gribelyuk;E. C. Jones;R. J. Miller;Hon;Wilfried Haensch
通讯作者：
Wilfried Haensch
基于瞬态载流子响应的自洽非准静态MOSFET电路仿真模型
影响因子：
1.5
作者：
N. Nakayama;H. Ueno;T. Inoue;T. Isa;Masayasu Tanaka;M. Miura
通讯作者：
M. Miura