Effect of annealing on the structure and magnetic properties of Co2FeAl0.5Si0.5 thin films on Ge(111)
Effect of annealing on the structure and magnetic properties of Co2FeAl0.5Si0.5 thin films on Ge(111)
复制标题
退火对Ge(111)基Co2FeAl0.5Si0.5薄膜结构及磁性能的影响
DOI：
10.1016/j.jallcom.2018.03.075
复制
发表时间：
2018
影响因子：
6.2
通讯作者：
Achinuq B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Achinuq B
研究了Ge（111）衬底上外延生长的B2有序全Heusler Co2 FeSi（0.5）Al（0.5）单晶薄膜的磁性和结构特性随退火温度的变化。磁滞回线测量表明Co2FeSi0.5Al0.5的磁性能在450 °C下保持稳定，而铁磁共振线宽测量表明生长态和退火态薄膜的吉尔伯特阻尼分别从5.6 × 10 − 3降低到2.9 × 10− 3。在500 °C以上，薄膜的磁化率增加，饱和磁化强度降低，并显示出特征的双磁振子散射共振线形。当在高于500 °C退火时，在膜内产生的磁不均匀性与膜-基底界面处的显著相互扩散相关，如通过扫描透射电子显微镜和电子能量损失谱所证实的。通过原子分辨显微镜图像开发的原子模型的基础上进行第一性原理计算，我们发现的Co 2FeSi 0. 5Al 0. 5薄膜的磁矩减少后，由Ge原子Co取代。
We present a magnetic and structural properties study of epitaxially grownB2-ordered full Heusler Co2FeSi0.5Al0.5single crystal films on Ge(111) substrates, as a function of annealing temperature. Hysteresis loop measurements reveal that the magnetic properties of Co2FeSi0.5Al0.5are stable up to 450 °C while ferromagnetic resonance linewidth measurements show a reduction of Gilbert damping from 5.6 × 10−3to 2.9 × 10−3for as-grown and annealed film, respectively. Above 500 °C, the films have increased coercivity, decreased saturation magnetisation, and show characteristic two-magnon scattering resonance line-shapes. Magnetic inhomogeneities developed within the film when annealed above 500 °C were correlated to significant interdiffusion at the film-substrate interface, as confirmed by scanning transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy. By performing first-principles calculations based on atomistic models developed from atomically-resolved microscopy images, we show the magnetic moment of the Co2FeSi0.5Al0.5film reduces upon Co substitution by Ge atoms.
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
V. Lazarov;Kenta Yoshida;J. Sato;P. Hasnip;M. Oogane;A. Hirohata;Y. Ando
通讯作者：
V. Lazarov;Kenta Yoshida;J. Sato;P. Hasnip;M. Oogane;A. Hirohata;Y. Ando
DOI：
10.1007/s00339-013-7679-2
发表时间：
2013-05-01
影响因子：
2.7
作者：
Hirohata, Atsufumi;Sagar, James;Lazarov, Vlado K.
通讯作者：
Lazarov, Vlado K.
影响因子：
4
作者：
Tezuka, N.;Ikeda, N.;Inomata, K.
通讯作者：
Inomata, K.
影响因子：
2.1
作者：
Tanikawa, Kohei;Oki, Soichiro;Hamaya, Kohei
通讯作者：
Hamaya, Kohei
影响因子：
4
作者：
Kuerbanjiang, Balati;Nedelkoski, Zlatko;Lazarov, Vlado K.
通讯作者：
Lazarov, Vlado K.