Design of Ultra Low Temperature Pressure and Temperature Sensor Structure
Design of Ultra Low Temperature Pressure and Temperature Sensor Structure
复制标题
超低温压力和温度传感器结构设计
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amm.80-81.693
复制
发表时间：
2011-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
bz zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
bz zhang
为了在超低温条件下进行压力测量，设计了超低温压阻式压力传感器的结构。根据多晶硅纳米薄膜的温度特性和压阻特性，将其用作压敏电阻。分析了硅弹性膜的尺寸对传感器灵敏度的影响以及弹性膜的应变尺寸，并对电阻的布置位置进行了安排。设计了压力传感器的封装结构。同时，设计了低温传感器来补偿温度对压力传感器的影响。
In order to measure the pressure in the ultra-low temperature condition, the structure of ultra-low temperature piezoresistive pressure sensor is designed. Polysilicon nanometer thin film is used as a varistor according to its temperature and piezoresistive characteristics. The effect of the dimensions of silicon elastic membrane for the sensor sensitivity and the strain dimensions of the elastic membrane are analyzed, then layout position of resistances is arranged. The package structure of pressure sensor is designed. Meanwhile, a low-temperature sensor is designed to compensate the temperature influence to the pressure sensor.
登录
查看更多内容
影响因子：
--
作者：
Lin Hui-wang
通讯作者：
Lin Hui-wang
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Instrument Technique and Sensor
影响因子：
--
作者：
Sun Xiao-long
通讯作者：
Sun Xiao-long
DOI：
10.1109/asscc.2006.357946
发表时间：
2006-11
期刊：
2006 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
Yanhong Zhang;Bingwu Liu;Litian Liu;Zhimin Tan;Zhaohua Zhang;Huiwang Lin;T. Ren
通讯作者：
Yanhong Zhang;Bingwu Liu;Litian Liu;Zhimin Tan;Zhaohua Zhang;Huiwang Lin;T. Ren
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Instrument Technique and Sensor
影响因子：
--
作者：
Zhang Da
通讯作者：
Zhang Da
影响因子：
6.7
作者：
A. Ali;T. Inokuma;S. Hasegawa
通讯作者：
A. Ali;T. Inokuma;S. Hasegawa