A Compact Ferroelectric 2T-(n+1)C Cell to Implement AND-OR Logic in Memory
A Compact Ferroelectric 2T-(n+1)C Cell to Implement AND-OR Logic in Memory
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用于在存储器中实现 AND-OR 逻辑的紧凑型铁电 2T-(n 1)C 单元
DOI：
10.1109/isvlsi59464.2023.10238503
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Narayanan, Vijaykrishnan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiao, Yi;Xu, Yixin;Deng, Shan;Zhao, Zijian;George, Sumitha;Ni, Kai;Narayanan, Vijaykrishnan
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利用 2TnC 单元准无损读出铁电电容器极化以放宽耐久性要求
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Xiao, Yi;Deng, Shan;Zhao, Zijian;Faris, Zubair;Xu, Yixin;Huang, Tzu-Jung;Narayanan, Vijaykrishnan;Ni, Kai
通讯作者：
Ni, Kai
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Peide D. Ye
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DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
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--
作者：
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通讯作者：
T. Mikolajick
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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
M. Chang
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DOI：
10.1109/iedm45625.2022.10019400
发表时间：
2022
期刊：
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM
影响因子：
--
作者：
Deng, Shan;Benkhelifa, Mahdi;Thomann, Simon;Faris, Zubair;Zhao, Zijian;Huang, Tzu-Jung;Xu, Yixin;Narayanan, Vijaykrishnan;Ni, Kai;Amrouch, Hussam
通讯作者：
Amrouch, Hussam