Robust avalanche in GaN leading to record performance in avalanche photodiode
Robust avalanche in GaN leading to record performance in avalanche photodiode
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GaN 中的稳健雪崩导致雪崩光电二极管的性能创纪录
DOI：
10.1109/irps45951.2020.9129299
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chowdhury, Srabanti
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ji, Dong;Ercan, Burcu;Benson, Garret;Newaz, AKM;Chowdhury, Srabanti
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GaN基雪崩光电二极管
DOI：
10.1109/drc.1998.731118
发表时间：
1998
期刊：
56th Annual Device Research Conference Digest (Cat. No.98TH8373)
影响因子：
--
作者：
S. Verghese;K. A. Mcintosh;R. Molnar;C.;K. Molvar;I. Melngailis;R. Aggarwal
通讯作者：
R. Aggarwal
影响因子：
1.5
作者：
H. Ohta;N. Asai;F. Horikiri;Yoshinobu Narita;Takehiro Yoshida;T. Mishima
通讯作者：
H. Ohta;N. Asai;F. Horikiri;Yoshinobu Narita;Takehiro Yoshida;T. Mishima
影响因子：
1.9
作者：
Mandal, S.;Kanathila, M. B.;Chowdhury, S.
通讯作者：
Chowdhury, S.
影响因子：
1.5
作者：
Fukushima, Hayata;Usami, Shigeyoshi;Amano, Hiroshi
通讯作者：
Amano, Hiroshi
影响因子：
3.1
作者：
Groves, C;Ghin, R;Rees, GJ
通讯作者：
Rees, GJ