Ultrathin GaGeTe p-type transistors
Ultrathin GaGeTe p-type transistors
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超薄 GaGeTe p 型晶体管
DOI：
10.1063/1.4998350
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发表时间：
2017-11
影响因子：
4
通讯作者：
Zhai Tianyou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Weike;Li Liang;Zhang Zhitao;Yang Jiyong;Tang Dongsheng;Zhai Tianyou
我们使用透明带方法将块状GaGeTe晶体剥离到超薄的片状，并制作了场效应晶体管(FET)。在室温下，GaGeTe FET表现出p型行为，漏电流调制在10~3量级，空穴迁移率为0.45cm2 V−1，空穴迁移率为S−1，光响应率为3.6A W−1。这些发现表明，层状GaGeTe是一种很有前途的二维半导体，可用于制造晶体管和光电探测器等器件。
We exfoliated bulk GaGeTe crystals down to ultrathin flakes using the scotch tape method and fabricated field effect transistors (FETs). The GaGeTe FETs display a p-type behavior with drain current modulation on the order of 103, hole mobility of 0.45 cm2 V−1 s−1, and photoresponsivity of 3.6 A W−1 at room temperature. These findings suggest that the layered GaGeTe is a promising 2D semiconductor for fabricating devices, such as transistors and photodetectors.
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