Source/Drain Engineered Charge-Plasma Junctionless Transistor for the Immune of Line Edge Roughness Effect
Source/Drain Engineered Charge-Plasma Junctionless Transistor for the Immune of Line Edge Roughness Effect
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源极/漏极工程电荷等离子体无结晶体管，可免受线边缘粗糙度影响
DOI：
10.1109/ted.2018.2812241
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发表时间：
2018-05
影响因子：
3.1
通讯作者：
Xinnan Lin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wenbo Wan;Haijun Lou;Ying Xiao;Xinnan Lin
在本文中，电荷等离子体结构的源/漏区被纳入无掺杂无结晶体管获得上级免疫力的线边缘粗糙度（LER）。一个优化的开/关电流比，通过使用数值模拟观察。它也表明，建议的电荷等离子体无结晶体管（CP-JLT）是不敏感的LER幅度的变化。进一步揭示了LER影响CP-JLT电学特性的物理机制。首次提出了沟道最小宽度位置变化和沟道宽度变化两个概念，探讨了LER的影响。研究表明，LER主要通过改变沟道最小宽度位置引起的源极宽度变化来影响CP JLT的I ON，而LER主要通过改变沟道宽度来影响<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">I</tex-math></inline-formula><inline-formula><tex-math notation="LaTeX">OFF</tex-math></inline-formula>、SS和<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">V th</tex-math></inline-formula>这对抑制CP-JLT的LER变化具有一定的指导意义。
In this paper, the charge-plasma structure over the source/drain region is incorporated into a dopingless junctionless transistor for obtaining the superior immunity of line edge roughness (LER). An optimized on/off current ratio is observed by using numerical simulations. It is also demonstrated that the proposed charge-plasma junctionless transistor (CP-JLT) is insensitive to the variation of LER magnitude. We further reveal the physics that LER affects the electrical characteristics of CP-JLT. Channel minimal width position variation and channel width variation are put forward to explore the impact of LER for the first time. It is observed that the LER affects the <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${I}_{\text {ON}}$ </tex-math></inline-formula> of CP-JLT due to the changes of the source width caused by channel minimal width position variation, whereas the LER affects the <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${I}_{\text {OFF}}$ </tex-math></inline-formula>, SS, and <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${V}_{\text {th}}$ </tex-math></inline-formula> mainly through channel width variation. It is thus proved to be a helpful guide to suppress the LER variation of CP-JLT.
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影响因子：
1.7
作者：
Colinge, J. P.;Kranti, A.;Razavi, P.
通讯作者：
Razavi, P.
影响因子：
4.9
作者：
Sahu, Chitrakant;Singh, Jawar
通讯作者：
Singh, Jawar
影响因子：
3.1
作者：
Chitrakant Sahu;Jawar Singh
通讯作者：
Chitrakant Sahu;Jawar Singh
影响因子：
1.7
作者：
Lee, Chi-Woo;Ferain, Isabelle;Colinge, Jean-Pierre
通讯作者：
Colinge, Jean-Pierre
DOI：
10.1109/iedm.2014.7047158
发表时间：
2014-12
期刊：
2014 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Y. Lee;Ta-Chun Cho;K. Kao;P. Sung;F. Hsueh;P. Huang;C. Wu;Shu‐Han Hsu;W. Huang;H. Chen;Y. Li;M. Current;B. Hengstebeck;J. Marino;T. Buyuklimanli;J. Shieh;T. Chao;W. Wu;W. Yeh
通讯作者：
Y. Lee;Ta-Chun Cho;K. Kao;P. Sung;F. Hsueh;P. Huang;C. Wu;Shu‐Han Hsu;W. Huang;H. Chen;Y. Li;M. Current;B. Hengstebeck;J. Marino;T. Buyuklimanli;J. Shieh;T. Chao;W. Wu;W. Yeh