Circuit Level Prediction of Device Performance Degradation due to Negative Bias and Temperature Stress
Circuit Level Prediction of Device Performance Degradation due to Negative Bias and Temperature Stress
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负偏置和温度应力导致器件性能下降的电路级预测
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Rihito Kuroda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kimura;T.;木村智樹;木村智樹;木村智樹;伊藤智美;伊藤智美;木村智樹;Weitao Cheng;Rihito Kuroda;Masahiro Konda;Rui Hasebe;Akinobu Teramoto;Tadahiro Ohmi;Rihito Kuroda
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从空穴能量的角度检查负偏压温度应力引起的退化机制，以准确预测寿命
DOI：
10.1016/j.microrel.2006.06.001
发表时间：
2007
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
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作者：
Kazufumi Watanabe;A. Teramoto;R. Kuroda;S. Sugawa;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
超薄栅介质中的NBTI机理-SiON中的氮源机理
DOI：
10.1109/iedm.2002.1175891
发表时间：
2002
期刊：
Digest. International Electron Devices Meeting,
影响因子：
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作者：
Y. Mitani;M. Nagamine;H. Satake;A. Toriumi
通讯作者：
A. Toriumi
pMOSFET 中 NBTI 引起的 V/sub T/ 和 /spl beta/ 失配偏移的统计
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Rauch
通讯作者：
S. Rauch
高可靠ULSI电路NBT受力器件的精确电路性能预测模型和寿命预测方法
DOI：
10.1109/icicdt.2006.220826
发表时间：
2005
期刊：
2006 IEEE International Conference on IC Design and Technology
影响因子：
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作者：
R. Kuroda;Kazufumi Watanabe;A. Teramoto;Michihiko Mifuji;T. Yamaha;S. Sugawa;Tadahiro Ohmi
通讯作者：
Tadahiro Ohmi
NBTI 退化建模及其对寿命电场依赖性的影响
DOI：
10.1109/relphy.2004.1315296
发表时间：
2004
期刊：
2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings
影响因子：
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作者：
H. Aono;E. Murakami;K. Okuyama;A. Nishida;M. Minami;Y. Ooji;K. Kubota
通讯作者：
K. Kubota