Selective epitaxial growth of GaAs on Si with strained short-period superlattices by molecular beam epitaxy under atomic hydrogen irradiation
Selective epitaxial growth of GaAs on Si with strained short-period superlattices by molecular beam epitaxy under atomic hydrogen irradiation
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原子氢辐照下分子束外延在 Si 上选择性外延生长具有应变短周期超晶格的 GaAs
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takuto TSUJI
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Fujimoto;T.Murofushi;辻琢人;T.Tsuji;Takuto TSUJI
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