Understanding and Mitigating Stress Memorization Technique of Induced Layout Dependencies for NMOS HKMG Device
Understanding and Mitigating Stress Memorization Technique of Induced Layout Dependencies for NMOS HKMG Device
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了解和减轻 NMOS HKMG 器件引起的布局依赖性的应力记忆技术
DOI：
10.1109/jeds.2020.3032957
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Tian Chun Ye
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ying-Fei Wang;Qing-Chun Zhang;Ping Li;Xiaojing Su;Lisong Dong;Rui Chen;Libin Zhang;Tianyang Gai;Yajuan Su;Wei Yayi;Tian Chun Ye
首次系统地研究了平面高k/Metal栅NMOS器件中应力记忆技术引起的显著的版图邻近效应，包括宽度效应、不同浅沟槽间距效应和扩散长度效应。在分析高k/Metal栅NMOS器件版图邻近效应的氧扩散机理的基础上，提出了一种抑制版图依赖性的优化工艺。实验结果表明，改进的低温应力记忆工艺可以有效地抑制版图依赖性，而不会降低器件的性能。
For the first time, this research addresses the notable layout proximity effects induced by stress memorization technique in planer high-k/Metal gate NMOS device systematically, including width effect, different shallow trench spacing effect, and length of diffusion effect. Based on the oxygen diffusion mechanism analysis of layout proximity effects in high-k/Metal gate NMOS device, an optimized process is proposed to suppress the layout dependency. The experiment result indicates that modified low temperature stress memorization technique process can suppress layout dependency efficiently without performance degradation of the devices.
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DOI：
10.1109/drc.2015.7175621
发表时间：
2015-06
期刊：
2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC)
影响因子：
--
作者：
T. Shen;Shui-Jinn Wang;Z. Xiao;Chung-Cheng Wu;Jeff Wu;Carlos H. Díaz
通讯作者：
T. Shen;Shui-Jinn Wang;Z. Xiao;Chung-Cheng Wu;Jeff Wu;Carlos H. Díaz
DOI：
--
发表时间：
2013-06
期刊：
2013 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
Y. Liu;H. Meer;O. Gluschenkov;X. Yang;F. Sato;K. Cho;M. Ganz;H. Utomo;Y. Wang;U. Kwon-U.
通讯作者：
Y. Liu;H. Meer;O. Gluschenkov;X. Yang;F. Sato;K. Cho;M. Ganz;H. Utomo;Y. Wang;U. Kwon-U.
DOI：
10.1109/nmdc.2018.8605736
发表时间：
2018-10
期刊：
2018 IEEE 13th Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
影响因子：
--
作者：
Jeong-Guk Min;C. Jeong;U. Kwon;D. Kim;Suhyun Kim;Ilryoung Kim;Joon-Sung Yang
通讯作者：
Jeong-Guk Min;C. Jeong;U. Kwon;D. Kim;Suhyun Kim;Ilryoung Kim;Joon-Sung Yang
DOI：
10.23919/vlsit.2019.8776517
发表时间：
2019-06
期刊：
2019 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
T. Wen;B. Colombeau;C.l. Li;S. Liu;B. Guo;H. Meer;M. Hou;B. Yang;H.C. Feng;C. Hsu
通讯作者：
T. Wen;B. Colombeau;C.l. Li;S. Liu;B. Guo;H. Meer;M. Hou;B. Yang;H.C. Feng;C. Hsu
DOI：
10.1109/iedm.2010.5703332
发表时间：
2010-12
期刊：
2010 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
K. Lim;Hyun-Yong Lee;Choongryul Ryu;K. Seo;U. Kwon;Seokhoon Kim;Jongwan Choi;Kyungseok Oh;
通讯作者：
K. Lim;Hyun-Yong Lee;Choongryul Ryu;K. Seo;U. Kwon;Seokhoon Kim;Jongwan Choi;Kyungseok Oh;