In Vacuo Measurements of Dangling Bonds Created During Ar-Diluted Fluorocarbon Plasma Etching of Si Dioxide Films
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真空测量二氧化硅薄膜的氩稀释氟碳等离子体蚀刻过程中产生的悬空键
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川健治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治
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影响因子：
1.4
作者：
Okigawa, M;Ishikawa, Y;Samukawa, S
通讯作者：
Samukawa, S
氟碳等离子体中氧化硅表面的早期改性，用于硅上的选择性蚀刻
影响因子：
3.2
作者：
K. Ishikawa;M. Sekine
通讯作者：
M. Sekine
等离子束照射 SiO2 解吸产物的测量
DOI：
10.1116/1.1795830
发表时间：
2004
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
K. Kurihara;Y. Yamaoka;K. Karahashi;M. Sekine
通讯作者：
M. Sekine
Si 上生长的 SiO2 真空紫外辐射形成的正电荷和 E 中心
影响因子：
1.5
作者：
K. Yokogawa;Y. Yajima;T. Mizutani;S. Nishimatsu;Keizo Suzuki
通讯作者：
Keizo Suzuki
高密度等离子体真空紫外光子对SiO2表面的辐射损伤
影响因子：
1.5
作者：
T. Tatsumi;Seiichi Fukuda Seiichi Fukuda;Shingo Kadomura Shingo Kadomura
通讯作者：
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