Ultra-High Hall Mobility (1 x 106 cm2V-1S-1) in a Two-Dimensional Hole Gas in a Strained Germanium Quantum Well Grown by Reduced Pressure CVD
Ultra-High Hall Mobility (1 x 106 cm2V-1S-1) in a Two-Dimensional Hole Gas in a Strained Germanium Quantum Well Grown by Reduced Pressure CVD
复制标题
减压 CVD 生长的应变锗量子井中二维空穴气体中的超高霍尔迁移率 (1 x 106 cm2V-1S-1)
DOI：
10.1109/istdm.2012.6222451
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Dobbie A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dobbie A
登录
查看更多内容
硅烷和锗烷外延硅锗的化学气相沉积 I. 动力学
影响因子：
3.9
作者：
S. Jang;K. Liao;R. Reif
通讯作者：
R. Reif
高性能外延基双极结器件的磷和砷分布控制
影响因子：
4
作者：
R. Bashir;A. Kabir;P. Westrom
通讯作者：
P. Westrom
致编辑的信：通过混合外延生长实现高电导 Ge p 沟道异质结构
影响因子：
1.9
作者：
R. Morris;T. Grasby;R. Hammond;M. Myronov;O. Mironov;D. Leadley;T. Whall;E. Parker;M. Currie;C. Leitz;E. Fitzgerald
通讯作者：
E. Fitzgerald
影响因子：
3.2
作者：
Shah, V. A.;Dobbie, A.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.
低能等离子体增强化学气相沉积制备高迁移率 SiGe 异质结构
影响因子：
2.3
作者：
H. Känel;D. Chrastina;B. Rössner;G. Isella;J. Hague;M. Bollani
通讯作者：
M. Bollani