A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure
A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure
复制标题
一种具有三重RESURF结构的新型高压SOI LDMOS
DOI：
10.1088/1674-4926/32/7/074006
复制
发表时间：
2011-07
影响因子：
5.1
通讯作者：
Li, Zhaoji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hu, Xiarong;Zhang, Bo;Luo, Xiaorong;Yao, Guoliang;Chen, Xi;Li, Zhaoji
提出了一种新的三重RESURF（T-resurf）SOI LDMOS结构。该结构具有P型埋层。首先，耗尽层可以在P埋层的两侧延伸，用作三重RESURF并导致高漂移掺杂和低导通电阻。第二，在漂移区的高掺杂浓度下，P层可以降低漂移区中的高体电场并增强漏侧的垂直电场，这导致均匀的体电场分布和增强的BV。该结构首次应用于SOI器件。在2 m埋氧层上覆盖6 m厚SOI层，模拟得到了BVD 315 V的T-resurf SOI LDMOS，与双RESURF（D-resurf）SOI LDMOS相比，其Rsp从16.5 mcm 2降低到13.8 mcm 2.随着SOI层厚度的增加，T-resurf SOI LDMOS对BV 2 /罗恩的增强效果更加明显。与D-resurf结构相比，它在400 V SOI LDMOS中将Rsp降低了25%，在550 V SOI LDMOS中将Rsp降低了38%。
A novel triple RESURF (T-resurf) SOI LDMOS structure is proposed. This structure has a P-type buried layer. Firstly, the depletion layer can extend on both sides of the P-buried layer, serving as a triple RESURF and leading to a high drift doping and a low on-resistance. Secondly, at a high doping concentration of the drift region, the P-layer can reduce high bulk electric field in the drift region and enhance the vertical electric field at the drain side, which results in uniform bulk electric field distributions and an enhanced BV. The proposed structure is used in SOI devices for the first time. The T-resurf SOI LDMOS with BV D 315 V is obtained by simulation on a 6 m-thick SOI layer over a 2 m-thick buried oxide layer, and its Rsp is reduced from 16.5 to 13.8 mcm 2 in comparison with the double RESURF (D-resurf) SOI LDMOS. When the thickness of the SOI layer increases, T-resurf SOI LDMOS displays a more obvious effect on the enhancement of BV 2 /Ron. It reduces Rsp by 25% in 400 V SOI LDMOS and by 38% in 550 V SOI LDMOS compared with the D-resurf structure.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/icsict.2010.5667714
发表时间：
2010-12
期刊：
2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
影响因子：
--
作者：
Tingting Hua;Yufeng Guo;G. Sheu
通讯作者：
Tingting Hua;Yufeng Guo;G. Sheu
LDMOST多浮置埋层纵向结端接技术
影响因子：
1.1
作者：
通讯作者：
--
DOI：
--
发表时间：
2010-06
期刊：
2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)
影响因子：
--
作者：
Sujit Banerjee;V. Parthasarathy;M. Manley
通讯作者：
Sujit Banerjee;V. Parthasarathy;M. Manley
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Chinese Journal of Semiconductors
影响因子：
--
作者：
Ic Design
通讯作者：
Ic Design
DOI：
10.1109/icsict.2004.1435019
发表时间：
2004-10
期刊：
Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004.
影响因子：
--
作者：
Zhaoji Li;Yufeng Guo;Bo Zhang;Jian Fang;Zehong Li
通讯作者：
Zhaoji Li;Yufeng Guo;Bo Zhang;Jian Fang;Zehong Li