Experimental and Physics-Based Study of the Schottky Barrier Height Inhomogeneity and Associated Traps Affecting 3C-SiC-on-Si Schottky Barrier Diodes
Experimental and Physics-Based Study of the Schottky Barrier Height Inhomogeneity and Associated Traps Affecting 3C-SiC-on-Si Schottky Barrier Diodes
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基于实验和物理的肖特基势垒高度不均匀性和影响 3C-SiC-on-Si 肖特基势垒二极管的相关陷阱的研究
DOI：
10.1109/tia.2021.3087667
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发表时间：
2021
影响因子：
4.4
通讯作者：
Arvanitopoulos A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Arvanitopoulos A
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影响因子：
2.3
作者：
Yuji Yamamoto;S. Harada;Kazuaki Seki;Atsushi Horio;T. Mitsuhashi;Daiki Koike;M. Tagawa;T. Ujihara
通讯作者：
Yuji Yamamoto;S. Harada;Kazuaki Seki;Atsushi Horio;T. Mitsuhashi;Daiki Koike;M. Tagawa;T. Ujihara
深层缺陷对Ni/4H-SiC肖特基二极管电性能的影响
影响因子：
1.7
作者：
Jinlan Li;Yun Li;Ling Wang;Yue Xu;Feng Yan;P. Han;X. Ji
通讯作者：
X. Ji
基于缺陷的 3C-SiC-on-Si 肖特基势垒二极管势垒高度行为模型
DOI：
10.1109/jestpe.2019.2942714
发表时间：
2020
影响因子：
5.5
作者：
A. Arvanitopoulos;M. Antoniou;Mike Jennings;S. Perkins;K. Gyftakis;P. Mawby;N. Lophitis
通讯作者：
N. Lophitis
宽温度范围内非均匀 4H-SiC 肖特基和 JBS 二极管的建模
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.858.741
发表时间：
2016
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
B. Asllani;M. Berthou;D. Tournier;P. Brosselard;P. Godignon
通讯作者：
P. Godignon
4H-SiC/SiO2 势垒高度随温度变化的提取
影响因子：
3.1
作者：
O. Aviñó;B. Asllani;C. Buttay;C. Raynaud;H. Morel
通讯作者：
H. Morel